3D IC之TSV鑽孔分析
摘要
對於TSV的物理規格終於在2012年有詳細的規範,但是對於該使用何種方式來達到此規範,仍舊是各憑本事。目前主流的鑽孔技術各有優缺點,重點在三大方向:(1)維持高品質的導孔;(2)提高寬高比;(3)增加鑽孔速度。TSV的滲透率在2016年約可達15%,其影響的範圍包含前段的蝕刻與後段的封裝,但大部分的設備與材料都掌握在外商手上。
2012~2016年TSV滲透率預估 |
Source:拓墣產業研究所,2013/03 |
對於TSV的物理規格終於在2012年有詳細的規範,但是對於該使用何種方式來達到此規範,仍舊是各憑本事。目前主流的鑽孔技術各有優缺點,重點在三大方向:(1)維持高品質的導孔;(2)提高寬高比;(3)增加鑽孔速度。TSV的滲透率在2016年約可達15%,其影響的範圍包含前段的蝕刻與後段的封裝,但大部分的設備與材料都掌握在外商手上。
2012~2016年TSV滲透率預估 |
Source:拓墣產業研究所,2013/03 |
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